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반도체 에피택셜 웨이퍼의 제조방법, 반도체 에피택셜 웨이퍼, 및 고체 촬상 소자의 제조방법

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기관명	NDSL
출원인	가부시키가이샤 사무코
출원번호	10-2016-7016695
출원일자	2016-06-22
공개번호	20160707
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 발명의 반도체 에피택셜 웨이퍼(100)의 제조방법은, 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10A)에 클러스터 이온(12)을 조사하여, 상기 반도체 웨이퍼의 표면부에, 상기 클러스터 이온의 구성 원소가 고용(固溶)된 개질층(改質層, 14)을 형성하는 제 1 공정과, 상기 반도체 웨이퍼의 개질층(14) 상에 에피택셜층(18)을 형성하는 제 2 공정을 가지며, 상기 제 1 공정은, 상기 개질층(14)에 있어서의 두께 방향의 일부가 아몰퍼스층(16)이 되고, 또한, 상기 아몰퍼스층(16)의 상기 반도체 웨이퍼 표면측의 표면(16A)의 평균 깊이가 상기 반도체 웨이퍼 표면(10A)으로부터 20㎚ 이상이 되도록 행하는 것을 특징으로 한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167016695
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