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반도체 장치의 제작 방법

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명	NDSL
출원인	가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
출원번호	10-2017-0064695
출원일자	2017-05-25
공개번호	20170615
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	노광 마스크의 매수를 삭감함으로써 포토리소그래피 공정을 간략화하고, 산화물 반도체를 갖는 반도체 장치를 저비용으로 생산성 좋게 제작하는 것을 과제의 하나로 한다. 채널 에치 구조의 역 스태거형 박막 트랜지스터를 갖는 반도체 장치의 제작 방법에 있어서, 투과한 광이 복수의 강도가 되는 노광 마스크인 다계조 마스크에 의하여 형성된 마스크층을 사용하여 산화물 반도체막 및 도전막의 에칭 공정을 행한다.에칭 공정은, 에칭 가스에 의한 드라이 에칭을 사용한다. [색인어] 산화물 반도체, 채널 에칭, 다계조 마스크, 드라이 에칭, 보텀 게이트
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020170064695
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