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반도체 장치 및 그 제작 방법

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명	NDSL
출원인	가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
출원번호	10-2016-0030708
출원일자	2016-03-15
공개번호	20160407
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	전기 특성 및 신뢰성이 높은 박막 트랜지스터를 갖는 반도체 장치, 및 상기 반도체 장치를 양산성(量産性) 높게 제작하는 방법을 제안하는 것이 과제가 된다. 반도체 층으로서 In, Ga, 및 Zn을 포함하는 산화물 반도체막을 사용하여 반도체 층의 채널 형성 영역과 중첩하는 영역에 채널 보호층을 형성하고, 반도체 층과 소스 전극층 및 드레인 전극층의 사이에 버퍼층이 형성된 역 스태거형(보텀 게이트 구조)의 박막 트랜지스터를 포함하는 것이 요지(要旨)가 된다.소스 전극 및 드레인 전극과 반도체 층의 사이에 반도체 층보다 캐리어 농도가 높은 버퍼층을 의도적으로 형성함으로써, 오믹 접촉(ohmic contact)을 형성한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020160030708
첨부파일

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