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반도체 장치 및 그 제작 방법

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기관명	NDSL
출원인	가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
출원번호	10-2016-0089231
출원일자	2016-07-14
공개번호	20160728
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	보텀 게이트형의 박막 트랜지스터에 있어서, 소스 전극과 드레인 전극의 사이에 생길 우려가 있는 전계 집중을 완화하여, 스위칭 특성의 열화를 억제하는 구조 및 그 제작 방법을 제공한다. 소스 전극 및 드레인 전극 위에 산화물 반도체층을 갖는 보텀 게이트형의 박막 트랜지스터로 하고, 산화물 반도체층과 접하는 소스 전극의 측면의 각도 θ1 및 드레인 전극의 측면의 각도 θ2를 20° 이상 90° 미만으로 함으로써, 소스 전극 및 드레인 전극의 측면에 있어서의 전극 상단으로부터 전극 하단까지의 거리를 크게 한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020160089231
첨부파일

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