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반도체 장치의 제작 방법

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명	NDSL
출원인	가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
출원번호	10-2017-7037836
출원일자	2017-12-29
공개번호	20180111
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 발명의 목적은 산화물 반도체가 이용되는, 안정한 전기적 특성을 갖는 반도체 장치를 제공하는 것이다. 산화물 반도체층은 탈수화 또는 탈수소화 처리를 위해, 질소 분위기 또는 희가스(예를 들면, 아르곤 또는 헬륨)와 같은 불활성 기체 분위기하 또는 감압하에서의 가열 처리가 수행되고, 산소 공급 처리를 위해, 산소 분위기, 산소 및 질소 분위기, 또는 대기(바람직하게는 노점 -40℃ 이하, 보다 바람직하게는 -50℃ 이하의 노점을 가짐) 분위기하에서 냉각 단계를 거친다. 따라서, 산화물 반도체층은 고순도화되어, i형의 산화물 반도체층이 형성된다. 산화물 반도체층을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치가 제작된다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020177037836
첨부파일

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