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하전 입자 빔 리소그래피를 이용한 치수 균일도를 위한 방법 및 시스템

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기관명	NDSL
출원인	디2에스, 인코포레이티드
출원번호	10-2013-0108278
출원일자	2013-09-10
공개번호	20140522
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	하전 입자 빔 리소그래피를 이용하여 레지스트-코팅된 레티클 상에 패턴을 형성하는 것 또는 마스크 프로세스 보정을 위한 방법이 개시되며, 여기서, 레티클은 웨이퍼 상에 패턴을 형성하기 위한 광학 리소그래피 프로세스에서 이용되기 위한 것이고, 여기서, 웨이퍼 패턴의 감도는 레티클의 레지스트 노출에서의 변화들에 대해 계산되고, 여기서, 패턴 노출 정보는 계산된 감도를 낮추도록 변형된다.분할 또는 마스크 데이터 준비를 위한 방법이 또한 개시되고, 여기서, 하전 입자 빔 리소그래피를 이용하여 레지스트-코팅된 레티클 상에 패턴을 형성할 수 있는 패턴 노출 정보가 결정되고, 여기서, 레티클은 웨이퍼 상에 패턴을 형성하기 위한 광학 리소그래피 프로세스에서 이용되기 위한 것이고, 여기서, 웨이퍼 패턴의 감도는 레티클의 레지스트 노출에서의 변화들에 대해 계산된다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020130108278
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