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실리콘 기판들 상에 디바이스 품질 갈륨 질화물층들을 형성하기 위한 방법 및 장치

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기관명	NDSL
출원인	울트라테크 인크.
출원번호	10-2016-7007571
출원일자	2016-03-22
공개번호	20160603
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	원자층 증착 (ALD) 이 80-400 ℃ 범위의 반응 온도에서 헤테로에피택셜 막 성장을 위해 사용된다. 기판 및 막 재료들은 바람직하게 도메인 정합 에피택시 (DME) 를 이용하기 위해 선택된다. 레이저 어닐링 시스템은 ALD 에 의한 성막 후 성막층들을 열적으로 어닐링하기 위해 사용된다. 바람직한 실시형태들에서, 실리콘 기판은 AlN 핵생성층이 위에 놓이고 레이저 어닐링된다. 그 후, GaN 디바이스층들이 ALD 프로세스에 의해 AlN 층 위에 적층되고 그 후 레이저 어닐링된다. 추가적인 예의 실시형태에서, 트랜지션층은 GaN 디바이스층과 AlN 핵생성층 사이에 적층된다. 트랜지션층은 Al x Ga 1-x N 화합물을 각각 포함하는 하나 이상의 상이한 트랜지션 재료층들을 포함하고, 트랜지션층의 조성은 AlN 에서 GaN 까지 연속적으로 달라진다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167007571
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