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반도체 온 절연체 구조를 테스트하는 방법 및 이러한 구조의 제조를 위한 그 테스트의 적용

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기관명	NDSL
출원인	소이텍
출원번호	10-2014-7024970
출원일자	2014-09-04
공개번호	20141218
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 발명은 지지 기판(3), 50nm 미만의 두께를 갖는 유전체 층(2) 및 반도체 층(12)을 맨 아래에서 표면까지 연속하여 포함하는 반도체 온 절연체 구조를 테스트하는 방법에 관한 것이다. 여기서, 그 구조는 지지 기판(3)과 유전체 층(2) 사이에 또는 유전체 층(2)과 반도체 층(12) 사이에 또는 유전체 층(2) 안에 접합 계면(I)을 포함하고, 그 방법은 유전체 층(2)의 절연파괴 전하량(QBD)을 측정하는 단계를 포함하고, 정보가 유전체 층(2) 및/또는 접합 계면(I)에 수소 농도에 관한 측정으로부터 추론되는 것을 특징으로 한다. 본 발명은 또한 배치로부터의 샘플 구조에서 그 테스트를 수행하는 단계를 포함하는 반도체 온 절연체 타입 구조의 배치를 제조하는 방법에 관한 것이다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020147024970
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