| 기업공감원스톱서비스

저온폴리실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조방법

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명	NDSL
출원인	센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드
출원번호	10-2016-7019150
출원일자	2016-07-15
공개번호	20160825
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 발명은 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조방법을 제공한다. 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터는 적어도 게이트 절연층을 포함하며, 게이트 절연층은 적어도 3층의 유전체층을 포함하는 복합 절연층으로서, 그 중 각 유전체층의 치밀성은 제조 과정 중에 형성되는 순서에 따라 순차적으로 증대된다. 복합 절연층 중 각 층의 치밀성 관계를 고려함으로써, 각 층 표면의 접촉 특성과 박막 연속성을 강화시키고, 복합 절연층 중 각 층의 두께를 고려함으로써, 기생 커패시턴스를 효과적으로 저하시키고 트랜지스터의 응답 속도를 향상시켰다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167019150
첨부파일

기업조회