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광전 반도체 칩을 제조하기 위한 방법

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기관명	NDSL
출원인	오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
출원번호	10-2016-7006646
출원일자	2016-03-14
공개번호	20160428
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 발명은 하기 단계들을 포함하는 광전 반도체 칩을 제조하기 위한 방법에 관한 것이다:- 적어도 2개의 상이한 서브 픽셀 영역(3)을 가진 픽셀 영역(2)을 포함하는 반도체 바디(1)를 제공하는 단계, - 양성자성 반응 파트너(19)와 함께 적어도 부분적으로 염을 형성하는데 적합한 전기 도전층(18)을 적어도 하나의 서브 픽셀 영역(3)의 복사선 출력면(9)에 적층하는 단계, - 전기 영동 공정에 의해 전기 도전층(18) 상에 변환층(19, 19')을 증착하는 단계.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167006646
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