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광전 반도체 물질의 광학적 특성화를 위한 방법 및 상기 방법을 실시하기 위한 장치

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기관명	NDSL
출원인	오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
출원번호	10-2016-7015171
출원일자	2016-06-08
공개번호	20160728
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 발명은 광전 반도체 물질(1)의 전체 영역의 광학적 특성화를 위한 방법에 관한 것으로, 상기 반도체 물질은 다수의 광전 반도체 칩의 제조를 위해 제공되고, 반도체 물질(1)의 특성 파장을 제공하는 밴드폭을 가지며, 상기 방법은 하기 단계들, 즉 A) 반도체 물질(1) 내에 전자-홀 쌍의 형성을 위해 반도체 물질(1)의 특성 파장보다 작은 여기 파장을 갖는 광(20)으로 광전 반도체 물질(1)의 주 표면(11)의 전체 영역을 조사하는 단계; B) 반도체 물질(1)의 주 표면(11)으로부터 전자-홀 쌍의 재결합에 의해 방출된 특성 파장을 갖는 재결합 복사선(30)의 전체 영역을 검출하는 단계를 포함한다. 또한 본 발명은 방법을 실시하기 위한 장치(100)에 관한 것이다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167015171
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