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반도체 기억 장치, 독출 방법 및 프로그램 방법

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명	NDSL
출원인	윈본드 일렉트로닉스 코포레이션
출원번호	10-2016-0074576
출원일자	2016-06-15
공개번호	20160707
공개일자	2016-08-12
등록번호	10-1648061-0000
등록일자	2016-08-08
권리구분	KPTN
초록	고속 동작이 가능한 NAND형 반도체 기억 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 반도체 기억 장치는, 매트릭스 방향으로 배열된 복수의 메모리 셀이 형성된 메모리 어레이와, 상기 메모리 어레이에 커플링하고 행 어드레스 신호에 기초하여 메모리 어레이의 행방향의 메모리 셀을 선택하는 행 선택 수단과, 상기 메모리 어레이에 커플링하고 열 어드레스 신호에 기초하여 메모리 어레이의 열방향의 메모리 셀을 선택하는 열 선택 수단과, 메모리 셀로부터의 데이터 독출 또는 메모리 셀에의 데이터 기입을 행하는 제어 수단을 가진다. 메모리 어레이에는, 데이터를 기억하는 데이터용 메모리 셀과 레퍼런스 데이터를 기억하는 레퍼런스용 메모리 셀로 구성되는 셀 유닛이 복수개로서 배치된다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020160074576
첨부파일

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