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성막 장치 및 성막 방법

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기관명	NDSL
출원인	시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
출원번호	10-2023-7010386
출원일자	2023-03-27
공개번호	20230427
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	높은 생산성으로 GaN막을 성막할 수 있는 성막 장치 및 성막 방법을 제공한다.실시 형태에 따른 성막 장치(1)는, 내부를 진공으로 하는 것이 가능한 챔버(20)와, 챔버(20) 내에 마련되고, 워크(10)를 보유 지지하고, 원주의 궤적으로 워크(10)를 순환 반송하는 회전 테이블(31)과, GaN을 포함하는 성막 재료로 이루어지는 타깃과, 상기 타깃과 상기 회전 테이블 사이에 도입되는 스퍼터 가스(G1)를 플라스마화하는 플라스마 발생기를 갖고, 회전 테이블(31)에 의해 순환 반송되는 워크(10)에, 스퍼터링에 의해 GaN 및 Ga를 포함하는 성막 재료의 입자를 퇴적시키는 GaN 성막 처리부(40A)와, 회전 테이블(31)에 의해 순환 반송되는 워크(10)에, GaN 성막 처리부(40A)에 있어서 퇴적된 성막 재료의 입자를 질화시키는 질화 처리부(50)를 갖는다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020237010386
첨부파일

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