비아 차단 층
기관명 | NDSL |
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출원인 | 타호 리서치 리미티드 |
출원번호 | 10-2023-7010324 |
출원일자 | 2023-03-24 |
공개번호 | 20230406 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 주어진 인터커넥트 층 내에서 선택 비아들을 절연하거나 전기적으로 격리하는 기술들이 개시되어, 전도성 라우팅은 그러한 동일 층 내의 다른 비아들 또는 인터커넥트들에 도달하기 위해 선택 격리된 비아들을 건너뛸 수 있다.그러한 비아 차단 층은 필요에 따라 주어진 인터커넥트 내의 임의의 수의 위치들에서 선택적으로 구현될 수 있다.비아 차단 층을 형성하는 절연체 재료의 선택적 퇴적을 용이하게 하기 위해 희생 패시베이션 층을 사용하는 제1 방법론, 비아 차단 층을 형성하는 절연체 재료의 선택적 퇴적을 용이하게 하기 위해 �� 리세서블 폴리머 제제들의 스핀 코팅을 사용하는 제2 방법론, 및 비아 차단 층을 형성하는 절연체 재료의 선택적 퇴적을 용이하게 하기 위해 나노입자 제제들의 스핀 코팅을 사용하는 제3 방법론을 포함하는, 비아 차단 층을 형성하는 기술들이 또한 제공된다.컨포멀 퇴적 공정들과 전형적으로 연관되는 유해한 에칭 공정들이 회피된다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020237010324 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | H01L-021/768,H01L-023/522,H01L-023/528 |
주제어 (키워드) |