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변조 도핑을 갖는 광전자 디바이스

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기관명	NDSL
출원인	센서 일렉트로닉 테크놀로지, 인크
출원번호	10-2016-7008858
출원일자	2016-04-04
공개번호	20160519
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	광전자 디바이스의 개선된 헤테로구조체가 제공된다. 헤테로구조체는 활성 영역, 전자 차단 층, 및 p-형 접촉 층을 포함한다. p-형 접촉 층 및 전자 차단 층은 p-형 도펀트로 도핑될 수 있다. 전자 차단 층에 대한 도펀트 농도는 기껏해야 p-형 접촉 층의 도펀트 농도의 10 퍼센트일 수 있다. 이러한 헤테로구조체를 설계하는 방법이 또한 설명된다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167008858
첨부파일

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