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특허 실용신안

반도체 제조 장치 및 반도체 제조방법

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명	NDSL
출원인	가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
출원번호	10-1994-0016242
출원일자	1994-07-07
공개번호	20080509
공개일자	1999-02-01
등록번호	10-0162934-0000
등록일자	1998-09-02
권리구분	KPTN
초록	반도체 제조장치의 처리챔버내에 부착 또는 퇴적하는 반응생성물의 양 또는 과학적 조성을 챔버를 대기 개방하는 일 없이 측정하는 장치 및 방법에 있어서, 처리챔버내에 광파이버 등의 광도입수단에 의하여 적외광 등의 광을 광도입부로부터 처리챔버내로 도입하고, 처리챔버내의 특정개소에서 반사한 광, 또는 장소를 특정하지 않으나 처리챔버내에서 반사한 광을 처리챔버밖에 설치한 수광부를 수광하고, 분광 또는 광량측정을 실행함으로써 반응생성물에 의한 용기의 오염이나 프로세서의 상태를 판정한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1019940016242
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