증착 프로세스를 최적화하기 위한 방법, 증착 장치를 조정하기 위한 방법 및 증착 장치
기관명 | NDSL |
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출원인 | 요한 볼프강 괴테 우니베르시타트 |
출원번호 | 10-2015-7025869 |
출원일자 | 2015-09-18 |
공개번호 | 20160317 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 전자 빔 유도 또는 이온 빔 유도 증착 시스템에 의해 20㎚ 미만의 층 두께를 바람직하게 갖는 전기 도전층을 생성하기 위한 증착 프로시저를 최적화하기 위한 방법은, 단계 1로서 증착 시스템의 최적화될 적어도 하나의 증착 특정 설정 파라미터, 예컨대 전자 빔 또는 이온 빔 파라미터의 선택 ― 가능하게는 증착 시스템의 적어도 하나의 추가 설정 파라미터가 일정하게 유지됨 ―; 단계 2로서 적어도 하나의 설정 파라미터 중 1세대 파라미터 값 집단을 정의하기 위한 여러 개의 파라미터 값들의 결정; 단계 3으로서 증착 시스템에 의해 1세대 파라미터 값 집단의 각각의 파라미터 값에 대한 층의 증착; 단계 4로서 1세대 파라미터 값 집단의 각각의 파라미터 값의 각각의 층에 대한 전기적 특성의 검출; 단계 5로서 미리 결정된 전기적 타깃 특성에 대해 검출된 전기적 특성들의 최적화 평가를 실행하고 최적화 평가를 기초로 추가 세대 파라미터 값 집단을 결정하는 유전자 알고리즘의 사용; 및 단계 6으로서 전기적 타깃 특성에 도달할 때까지 또는 마지막 세대라고 미리 결정된 세대에 대해 유전자 알고리즘이 완료될 때까지, 2세대 또는 가능하게는 추가 세대의 파라미터 값들을 사용한다는 전제 하에 단계 3 - 단계 5의 반복을 포함한다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020157025869 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | C23C-016/52,C23C-016/04,C23C-016/16,C23C-016/30,C23C-016/48,H01L-021/205,H01L-039/24 |
주제어 (키워드) |