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하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 방법

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기관명	NDSL
출원인	가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
출원번호	10-2013-0131460
출원일자	2013-10-31
공개번호	20140515
공개일자	2015-06-01
등록번호	10-1524839-0000
등록일자	2015-05-26
권리구분	KPTN
초록	본 발명의 일태양의 하전 입자빔 묘화 장치는, 복수의 도형 패턴을 가지는 칩을 포함하는 영역이 메시 형상의 복수의 메시 영역으로 가상 분할된 메시 영역마다 당해 칩에 관한 파라미터를 정의한 맵을 작성하는 맵 작성부와, 칩의 칩 중심, 또는 상술한 영역의 영역 중심을 축으로 하여 당해 칩의 칩 데이터의 반전과 회전 중 적어도 1개의 데이터 처리를 행할 경우, 맵의 메시 영역마다 정의된 파라미터들을 데이터 처리 후의 도형 패턴의 위치에 대응시켜 교체하는 교체부와, 하전 입자빔을 이용하여, 반전과 회전 중 적어도 1개의 데이터 처리가 행해진 칩 내의 도형 패턴을 시료에 묘화하는 묘화부를 구비한 것을 특징으로 한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020130131460
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