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특허/실용신안

구리가 풍부한 구리 인듐 (갈륨) 디셀레나이드/디설파이드 나노 입자의 제조

특허 실용신안 개요

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기관명 NDSL
출원인 나노코 테크놀로지스 리미티드
출원번호 10-2016-7015842
출원일자 2016-06-14
공개번호 20160721
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 구리 인듐 갈륨 디셀레나이드/디설파이드(CIGS) 나노 입자 제조 방법은 구리가 풍부한 화학양론을 활용한다. 유기 칼코겐 리간드로 캡핑된 구리가 풍부한 CIGS 나노 입자는 유기 용매에서 나노 입자를 처리 가능하게 한다. 나노 입자는 기판 상에 증착될 수 있고, 칼코겐이 풍부한 분위기에서 열처리되어 과잉 구리를 액상 소결 및 이에 따른 큰 결정 성장을 촉진하는 소결 플럭스로서 작용할 수 있는 구리 셀레나이드 또는 구리 설파이드로 변환하는 것을 용이하게 할 수 있다. 이렇게 생성된 나노 입자는 CIGS 기반 광전지 소자를 제조하기 위해 사용될 수 있다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167015842
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE C01G-015/00,C01B-019/00,H01L-031/0236,H01L-031/0392,H01L-031/0445,H01L-031/0749,H01L-031/18
주제어 (키워드)