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금속 게이트를 갖는 반도체 구조 및 그 제조 방법

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기관명	NDSL
출원인	타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
출원번호	10-2014-0165311
출원일자	2014-11-25
공개번호	20150702
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	금속 게이트 구조를 제조하기 위한 방법은 게이트 트렌치에 하이-k 유전체 층을 형성하는 단계; 상기 하이-k 유전체 층 위에 에칭 정지부(etch stop)를 형성하는 단계; 원자층 증착(ALD) 동작에 의해, 입계 공학 층으로서, 도펀트 원자가 그 층을 통해 침투하는 것을 허용하도록 구성된 입계 공학 층, 상기 도펀트 원자를 상기 입계 공학 층에 제공하도록 구성된 도핑 층, 및 상기 도핑 층이 산화되는 것을 방지하도록 구성된 캐핑 층의 시퀀스를 갖는 3-층을 형성함으로써 상기 에칭 정지부 위에 일함수 조정층을 형성하는 단계; 및 상기 게이트 트렌치를 레벨 업(level up)하도록 금속을 충전하는 단계를 포함한다.입계 공학 층은 섭씨 약 200도 내지 350도와 같은 다양한 온도들 하의 ALD 동작에 의해 준비된다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020140165311
첨부파일

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