감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 그 조성물을 이용한 레지스트막 및 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법 및 전자 디바이스
기관명 | NDSL |
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출원인 | 후지필름 가부시키가이샤 |
출원번호 | 10-2015-7015509 |
출원일자 | 2015-06-11 |
공개번호 | 20150717 |
공개일자 | 2016-07-01 |
등록번호 | 10-1635494-0000 |
등록일자 | 2016-06-27 |
권리구분 | KPTN |
초록 | 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물은, 트라이페닐설포늄노나플레이트를 기준으로 한 경우의, 상대 흡광도를 ε r 로 하고, 상대 양자효율을 φ r 로 할 때, 상대 흡광도 ε r 이 0.4~0.8이면서, 또한, ε r ×φ r 이 0.5~1.0인 활성광선 또는 방사선의 조사에 의하여 산을 발생하는 화합물(A)을 함유한다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020157015509 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | G03F-007/004,C07C-309/06,C07C-309/12,C07C-309/17,C07C-381/12,C07D-217/08,C07D-279/12,C07D-327/06,C07 |
주제어 (키워드) |