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저응력 질소 도핑된 텅스텐 막들의물리적 기상 증착

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기관명	NDSL
출원인	램 리써치 코포레이션
출원번호	10-2015-0106474
출원일자	2015-07-28
공개번호	20160218
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	저응력 (예를 들어, 250 MPa 미만) 및 아래에 놓인 유전체 층에 대한 우수한 접착력을 특징으로 하는 질소 도핑된 텅스텐 막들은 물리적 기상 증착 (PVD: physical vapor deposition) 에 의해 증착된다.막들은 3D 메모리 스택들의 제조시 하드마스크층들로서 사용될 수 있고, 층들의 스택의 상단 유전체층 상에 직접적으로 증착될 수 있다.저응력 막들은 막의 벌크 내보다 유전체층과의 계면에서 보다 높은 농도의 질소를 특징으로 하고, 약 5 내지 20 원자%의 질소 함량을 갖는다.약 300 내지 900 nm의 두께를 갖는 막들은 희가스 (noble gas) 및 질소를 포함하는 프로세스 가스에서 플라즈마를 형성함으로써 PVD 프로세스 챔버 내에서 증착될 수 있고, 여기서, 질소의 플로우 레이트는 프로세스 가스의 총 플로우 레이트의 약 10 내지 17 %이다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020150106474
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