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특허/실용신안

EUV 리소그래피용 반사 광학 소자 및 광학계

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하
출원번호 10-2013-7033157
출원일자 2013-12-13
공개번호 20140417
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 특히 EUV 리소그래피 장치 내부에서 반사 광학 소자의 수명에 대한 반응성 수소의 부정적 영향을 감소시키기 위해, 다층 시스템(51)을 갖는 반사면을 갖는 반사 광학 소자(50)가 극자외선 및 소프트 X선 파장 영역에 제공되고, 이 경우에 반사면(60)은 탄화규소 또는 루테늄으로 구성된 최상층(56)을 갖는 보호층 시스템(59)을 가지며, 상기 보호층 시스템(59)은 5nm 내지 25nm의 두께를 갖는다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020137033157
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE G02B-001/10,G02B-005/08,G02B-027/00,G02B-019/00,G03F-007/20
주제어 (키워드)