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유기 메모리 소자 및 그 제조 방법

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기관명	NDSL
출원인	경북대학교 산학협력단
출원번호	10-2015-0055084
출원일자	2015-04-20
공개번호	20160623
공개일자	2016-06-16
등록번호	10-1630677-0000
등록일자	2016-06-09
권리구분	KPTN
초록	본 발명은 폴리비닐알코올(PVA : Polyvinyl Alcohol)과 고분자 물질의 혼합 물질로 이루어진 고분자 메모리 절연층을 게이트 전극과 전하 수송층 사이에 형성하여, 히스테리시스(hysteresis)를 나타내는 전기적으로 분극 가능하도록 하여 드레인 전류가 히스테리시스 특성을 갖도록 함으로써 트랜지스터 구조를 가지면서 메모리 기능을 갖는 유기 메모리 소자 그 제조 방법에 관한 것이다. 이를 위한, 본 발명은 기판 상에 형성된 게이트 전극과 소오스 및 드레인 전극을 포함하는 트랜지스터에 있어서, 게이트 전극과 소오스 및 드레인 전극 사이에 폴리비닐알코올(PVA : Polyvinyl Alcohol)과 철 함유 단백질(Heme protein)의 혼합 물질로 이루어져 히스테리시스를 나타내는 전기적으로 분극 가능한 고분자 메모리 절연층이 형성된 것이다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020150055084
첨부파일

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