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특허/실용신안

반도체 가공 시스템에서의 이온 공급원 세정법

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 인티그리스, 인코포레이티드
출원번호 10-2015-7026700
출원일자 2015-09-25
공개번호 20151015
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 아크 챔버 내의 온도를 적절하게 제어하여 목적하는 필라멘트 성장 또는 대안적 필라멘트 에칭을 수행함에 의해, 아크 챔버의 이온 공급원 내에서 필라멘트의 성장/에칭을 가능케 하는 반응성 세정 시약을 사용하여 이온 주입 시스템 또는 그의 컴포넌트를 세정하는 것이 기재되어 있다.또한, 주위 온도, 승온 또는 플라즈마 조건 하에 이온 주입기 또는 주입기의 컴포넌트 영역들을 장비내 또는 장비외 세정 설비에서 세정하기 위한, XeF x , WF x , AsF x , PF x 및 TaF x (여기서, x는 화학양론적으로 적절한 값 또는 적절한 범위의 값을 가짐)와 같은 반응성 기체의 용도가 기재되어 있다.특정 반응성 세정제들 중, BrF 3 가 장비내 또는 장비외 세정 설비에서 이온 주입 시스템 또는 그의 컴포넌트의 세정에 유용한 것으로 기재되어 있다.또한, 이온화-관련 침착물의 적어도 일부를 이온 주입 시스템의 포어라인으로부터 제거하기 위해 이온 주입 시스템의 포어라인을 세정하는 방법이 기재되어 있으며, 이는 상기 포어라인을, 상기 침착물과 화학적으로 반응성인 세정 기체와 접촉시키는 단계를 포함한다.또한, 캐쏘드를 기체 혼합물과 접촉시키는 것을 포함하는, 이온 주입 시스템의 성능 개선 및 수명 연장 방법이 기재되어 있다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020157026700
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01L-021/265,H01L-021/02,H01L-021/3065
주제어 (키워드)