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특허/실용신안

주입 시스템에서 이온 빔 품질을 개선하는 방법

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.
출원번호 10-2016-7003947
출원일자 2016-02-16
공개번호 20160404
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 이온 주입기에서 이온 빔 품질을 개선하기 위한 방법이 개시된다. 일부 이온 주입 시스템들에 있어, 이온 소스로부터의 오염물질들이 희망되는 이온들과 함께 추출되며, 이는 작업물에 오염물질들을 도입한다. 이러한 오염물질들은 이온 소스 챔버 내의 불순물들일 수 있다. 이러한 문제는 추출된 이온 빔의 질량 분석이 수행되지 않을 때 악화되며, 희망되는 공급가스가 할로겐을 포함할 때 더 악화된다. 이온 챔버 내의 희석 가스의 도입이 챔버의 내부 표면들에 대한 할로겐의 유해한 영향을 감소시킬 수 있으며, 이는 추출되는 이온 빔의 오염물질들을 감소시킨다. 일부 실시예들에 있어, 희석 가스는 게르만 또는 실란일 수 있다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167003947
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01J-037/08,H01J-037/317,H01J-037/32,H01L-021/265
주제어 (키워드)