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특허/실용신안

표면 조성을 제어함에 의한 텅스텐 성장 조정

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
출원번호 10-2015-7011876
출원일자 2015-05-06
공개번호 20150612
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 촉매 작용(catalytic)의 벌크 CVD 증착 동안 촉매 재료(catalytic material)의 증착 레이트를 선택적으로 제어하기 위한 방법이 본원에서 개시된다.방법은, 표면 영역들과 갭 영역들을 모두 포함하는 기판을 프로세싱 챔버 내에 배치하는(positioning) 단계; 텅스텐을 포함하는 제 1 핵형성 층을 상기 기판의 노출된 표면 위에 등각적으로(conformally) 증착하는 단계; 활성화된 질소로 상기 제 1 핵형성 층의 적어도 일부를 처리하는 단계 ― 상기 활성화된 질소는 상기 표면 영역들 상에 우선적으로(preferentially) 증착됨 ― ; 상기 기판의 갭 영역들 내에 우선적으로 텅스텐 충전 층을 증착하기 위해, 텅스텐 할로겐화물(tungsten halide) 및 수소-함유 가스를 포함하는 제 1 증착 가스를 반응시키는 단계; 제 2 핵형성 층을 형성하기 위해, 텅스텐 할로겐화물을 포함하는 핵형성 가스를 반응시키는 단계; 및 텅스텐 필드(field) 층을 증착하기 위해, 텅스텐 할로겐화물 및 수소-함유 가스를 포함하는 제 2 증착 가스를 반응시키는 단계를 포함할 수 있다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020157011876
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE C23C-016/452,C23C-016/455
주제어 (키워드)