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자기 정렬 캡의 형성 방법 및 장치

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기관명	NDSL
출원인	인텔 코포레이션
출원번호	10-2016-7003215
출원일자	2016-02-04
공개번호	20160303
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	기판 위 유전체층 내의 적어도 하나의 전도성 라인이 리세싱되어 채널이 형성된다.상기 채널은 상기 전도성 라인에 자기 정렬된다(self-aligned).상기 채널은 억제제(inhibitor)를 포함하는 화학물질을 이용하여 상기 전도성 라인을 미리정해진 깊이로 에칭함으로써 형성되어 결정학적 배향(crystallographic orientation)과 관계없이 에칭의 균일성을 제공할 수 있다.상기 채널 내의 상기 리세싱된 전도성 라인 상에 전자이동을 방지하는 캐핑층(capping layer)이 퇴적된다.상기 채널은 상기 전도성 라인의 폭 내에 상기 캐핑층을 포함하도록 구성된다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167003215
첨부파일

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