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특허/실용신안

내장형 바이패스 다이오드

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 선파워 코포레이션
출원번호 10-2016-7015734
출원일자 2016-06-14
공개번호 20160825
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 바이패스 다이오드는 태양 전지의 기판 위에 배치되는 제1 전도형의 제1 전도성 영역, 및 제1 전도성 영역 위에 배치되는 제2 전도형의 제2 전도성 영역을 포함할 수 있다.바이패스 다이오드는 제1 전도성 영역과 제2 전도성 영역 사이에 직접 배치된 얇은 유전체 영역을 포함할 수 있다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167015734
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01L-031/044,H01L-031/0392,H01L-031/18
주제어 (키워드)