반도체 장치, 표시 장치, 및 전자 장비
기관명 | NDSL |
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출원인 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
출원번호 | 10-2016-7020272 |
출원일자 | 2016-07-25 |
공개번호 | 20160808 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 안정된 전기 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하는 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공하는 것이 목적이다. 높은 양산성과 저비용으로 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제조하는 것이 또 다른 목적이다. 채널 형성 영역과 소스 영역 및 드레인 영역을 갖는 반도체층이 산화물 반도체층을 이용하여 형성되는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 산화물 반도체층의 순도를 개선하고 수분과 같은 불순물을 저감하는 열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리)가 수행된다. 게다가, 열 처리가 수행된 산화물 반도체층은 산소 분위기하에서 서랭된다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167020272 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | H01L-029/66,H01L-027/12,H01L-029/786 |
주제어 (키워드) |