기업조회

본문 바로가기 주메뉴 바로가기

특허/실용신안

반도체 장치 및 그 제조 방법

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
출원번호 10-2016-7018699
출원일자 2016-07-12
공개번호 20160728
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 안정적인 전기적 특성을 갖는 높은 개구율의 박막 트랜지스터를 포함하는 고도로 신뢰성있는 표시 장치를 제조하고 제공하는 것이 목적이다.산화물 반도체막을 이용하여 채널 형성 영역을 포함한 반도체층을 형성하는 박막 트랜지스터를 갖는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 산화물 반도체막의 순도를 높이고 불순물인 수분 등을 저감하기 위한 열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리)를 수행한다.또한, 개구율은, 투광성을 갖는 도전막을 이용하여 게이트 전극층, 소스 전극층, 및 드레인 전극층을 형성함으로써 개선된다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167018699
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01L-029/786,H01L-021/02,H01L-027/12,H01L-033/42
주제어 (키워드)