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수직의 강유전체 전계 효과 트랜지스터 구성들, 한쌍의 수직의 강유전체 전계 효과 트랜지스터들, 강유전체 전계 효과 트랜지스터들의 수직 스트링들, 및 측면에서 대향하는 쌍들의 수직의 강유전체 전계 효과 트랜지스터들의 수직 스트링들을 포함하는 구성들

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기관명	NDSL
출원인	마이크론 테크놀로지, 인크
출원번호	10-2016-7005689
출원일자	2016-03-02
공개번호	20160422
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	수직의 강유전체 전계 효과 트랜지스터 구성은 절연 코어(isolating core)를 포함한다. 전이 금속 칼코겐 화합물(transition metal dichalcogenide) 재료는 절연 코어를 둘러싸고 1 단일층(monolayer) 내지 7 단일층들의 측면 벽 두께를 갖는다. 강유전체 게이트 유전체 재료는 전이 금속 칼코겐 화합물 재료를 둘러싼다. 전도성 게이트 재료는 강유전체 게이트 유전체 재료를 둘러싼다. 전이 금속 칼코겐 화합물 재료는 전도성 게이트 재료의 높이에서 바깥쪽으로 및 높이에서 안쪽으로 연장된다. 전도성 컨택(conductive contact)은 a) 전도성 게이트 재료의 높이에서 안쪽에, 또는 b) 전도성 게이트 재료의 높이에서 바깥쪽에 있는 전이 금속 칼코겐 화합물 재료의 측면 외측벽(lateral outer sidewall)에 직접 맞닿는다. 다른 실시예들이 설명된다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167005689
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