광전자 디바이스를 형성하는 기술
기관명 | NDSL |
---|---|
출원인 | 실리콘 제너시스 코포레이션 |
출원번호 | 10-2014-7029681 |
출원일자 | 2014-10-22 |
공개번호 | 20150205 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 벌크 기판으로부터 물질의 박막을 형성하기 위해 입자 가속기 빔을 사용하는 것과 관련된 실시예들이 개시된다.특정 실시예들에서, 최상면을 갖는 벌크 기판은 가속된 입자들의 빔에 노출된다.몇몇 실시예들에서, 이 벌크 기판은 GaN을 포함할 수 있고, 다른 실시예들에서는 (111) 단결정 실리콘을 포함할 수 있다.그리고, 상기 빔으로부터 주입된 입자들에 의해 형성된 클리빙 영역을 따라 통제된 클리빙 프로세스를 수행함으로써 상기 벌크 기판으로부터 물질의 웨이퍼 또는 박막이 분리된다.몇몇 실시예에서는, 이러한 분리된 물질이 광전자 디바이스로 직접 편입된다(예컨대, GaN 벌크 물질로부터 클리빙된 GaN 필름).몇몇 실시예들에서, 이러한 분리된 물질은, 광전자 디바이스에 유용한 반도체 물질(예컨대, GaN)의 추가적인 성장을 위한 템플릿으로서 채용될 수 있다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020147029681 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
---|---|
ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | |
주제어 (키워드) |