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SiN 박막의 형성 방법

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기관명	NDSL
출원인	에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.
출원번호	10-2015-0131423
출원일자	2015-09-17
공개번호	20160404
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	실리콘 질화물 막들을 형성하기 위한 전구체들 및 방법들이 제공된다.일부 실시예들에 있어서, 실리콘 질화물이 플라스마 강화 ALD와 같은 원자층 증착법(ALD)에 의하여 퇴적될 수 있다.일부 실시예들에 있어서, 퇴적된 실리콘 질화물은 플라스마 처리로 처리될 수 있다.상기 플라스마 처리는 질소 플라스마 처리일 수 있다.일부 실시예들에 있어서, 상기 실리콘 질화물을 퇴적시키기 위한 실리콘 전구체들은 요오드 리간드를 포함한다.상기 실리콘 질화물 막들은 FinFET류나 다른 타입의 다중 게이트 FET들과 같은 3차원 구조물 위에 퇴적되었을 때 수평 부분과 수직 부분 모두 비교적 균일한 식각 속도를 가질 수 있다.일부 실시예들에 있어서, 본 개시의 다양한 실리콘 질화물 막들은 희석된 HF(0.5%)에 대하여 열산화물의 제거 속도의 절반 미만의 식각 속도를 갖는다. 일부 실시예들에 있어서, 실리콘 질화물 막들을 퇴적시키기 위한 방법은 다중 단계의 플라스마 처리를 포함한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020150131423
첨부파일

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