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특허/실용신안

정극 활성 물질, 정극 및 비수 전해질 2차 전지

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 소니 주식회사
출원번호 10-2016-0035226
출원일자 2016-03-24
공개번호 20160414
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 과제 올리빈 구조를 갖는 정극 활성 물질을 이용한 비수 전해질 전지에 있어, 고용량, 고부하 특성 양쪽 모두를 향상시키고자 한다. 해결 수단 올리빈 구조를 갖는 리튬 인산 화합물의 2차 입자를 포함하고, 상기 2차 입자를 구성하는 1차 입자의 평균 입자 지름(A)가 50㎚ 이상 500㎚ 이하이고, 상기 1차 입자의 평균 입자 지름(A)과, 상기 2차 입자의 기공 지름(B)과의 비율(B/A)이 0.10 이상 0.90 이하, 바람직하기는 0.10 이상 0.75 이하로 있는 정극 활성 물질을 이용하여 비수 전해질 2차 전지를 제작한다. 또한, 상기 1차 입자는 탄소 재료로 피복되어 있는 것이 바람직하고, 정극 활성 물질층에 이용하는 도전제는 섬유형상 탄소인 것이 바람직하다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020160035226
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01M-004/58,H01M-010/0525,H01M-004/02,H01M-004/136,H01M-004/36
주제어 (키워드)