금속 산화물막의 제조 방법, 금속 산화물막, 박막 트랜지스터, 표시 장치, 이미지 센서 및 X선 센서
기관명 | NDSL |
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출원인 | 후지필름 가부시키가이샤 |
출원번호 | 10-2016-7007362 |
출원일자 | 2016-03-21 |
공개번호 | 20160428 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 본 발명은, 금속 질산염을 포함하는 용액을 기판 상에 도포하고, 도포막을 건조시켜 금속 산화물 전구체막을 형성하는 공정과, 금속 산화물 전구체막에 대하여, 300nm 이하의 파장역에 조도가 10mW/cm 2 이상인 피크 성분을 2개 이상 포함하는 자외선을 조사함으로써, 금속 산화물 전구체막을 금속 산화물막으로 전화하는 공정을 포함하는 금속 산화물막의 제조 방법 및 이로 인하여 제조된 금속 산화물막 그리고 그것을 구비한 디바이스를 제공한다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167007362 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | H01L-021/02,C01B-013/18,C01G-015/00,G02F-001/1368,H01L-027/32,H01L-029/786 |
주제어 (키워드) |