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반도체 장치 및 그 제작 방법

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기관명	NDSL
출원인	가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
출원번호	10-2016-0048552
출원일자	2016-04-21
공개번호	20160519
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	전기 특성 및 신뢰성이 높은 박막 트랜지스터를 갖는 반도체 장치, 및 상기 반도체 장치를 높은 양산성으로 제작하는 방법을 제안하는 것을 과제로 한다. 반도체층으로서 In, Ga, 및 Zn를 포함하는 산화물 반도체막을 사용하고, 반도체층과 소스 전극층 및 드레인 전극층 사이에 금속 산화물층으로 이루어지는 버퍼층이 형성된 역 스태거형(보텀 게이트 구조)의 박막 트랜지스터를 포함하는 것을 요지로 한다.소스 전극층 및 드레인 전극층과 반도체층 사이에 버퍼층으로서 금속 산화물층을 의도적으로 형성함으로써, 오믹(ohmic)성의 콘택트를 형성한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020160048552
첨부파일

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