| 기업공감원스톱서비스

다중 높이 반도체 장치 및 그 제조 방법

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명	NDSL
출원인	타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
출원번호	10-2016-0046363
출원일자	2016-04-15
공개번호	20160510
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	다른 여러가지가 있지만, 하나 이상의 반도체 장치들, 및 그러한 반도체 장치들을 형성하기 위한 방법들이 제공된다. 폴리층 또는 층간 유전체(ILD)층과 같은 층이 기판 상부에 형성된다. 상기 층 상부에 포토레지스트 마스크가 형성된다. 포토레지스트 마스크는 상기 층의 타겟 영역 위에 놓인 오픈 영역을 포함하고, 상기 층의 제 2 영역 위에 놓인 보호 영역을 포함한다. 보호 영역은 에칭 공정이 제 2 영역 내의 상기 층에 영향을 미치는 것을 금지하기 때문에 제 2 영역 내의 상기 층의 높이에 비해 상기 타겟 영역 내의 상기 층의 높이를 감소시키기 위해 상기 오픈 영역을 통해 제 1 에칭 공정이 수행된다. 제 1 높이를 갖는 제 1 구조물이 타겟 영역 내에 형성된다. 제 1 높이보다 큰 제 2 높이를 갖는 제 2 구조물이 제 2 영역 내에 형성된다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020160046363
첨부파일

기업조회