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특허/실용신안

3차원 반도체의 테스트 장치

특허 실용신안 개요

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기관명 NDSL
출원인 호서대학교 산학협력단
출원번호 10-2014-0071900
출원일자 2014-06-13
공개번호 20150604
공개일자 2015-05-29
등록번호 10-1524409-0000
등록일자 2015-05-22
권리구분 KPTN
초록 본 발명은, 미세 신호 지연 여부를 외부에서 쉽게 인지할 수 있고, 복잡한 온칩 회로나 신호 분석 과정을 요구하지 않으며, 프리본드 단계에서 고장이 발생했거나 고장 확률이 높은 TSV를 사전에 검출할 수 있는 3차원 반도체의 테스트 장치에 관한 것으로서, TSV(Through Silicon Via: 실리콘 관통 비아)의 각 적층 다이상에 장착되는 OTT(On-chip TSV Tester: 온 칩 실리콘 관통 비아 테스터);를 포함하여 구성되며, 상기 OTT는, 상기 TSV의 출력단에 연결되어 상기 TSV의 출력 신호를 입력 신호로서 받는 D 플립플롭과; 상기 TSV에 입력되는 입력 신호의 상승 또는 하강 에지를 검출하고, 검출된 상기 상승 에지를 기준으로 지연된 클럭인 상승 에지 기준 클럭과, 상기 하강 에지를 기준으로 지연된 클럭인 하강 에지 기준 클럭을 생성하며, 상기 상승 에지 기준 클럭과 상기 하강 에지 기준 클럭의 논리합인 D 플립플롭 클럭을 생성하여 상기 D 플립플롭에 제공하는 클럭 생성기;를 포함한다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020140071900
첨부파일

추가정보

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과학기술표준분류
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주제어 (키워드)