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두 개의 단계로 얻어진 전이 니트라이드 금속의 레이어에서 적어도 하나의 나노와이어를 성장시키기 위한 방법

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기관명	NDSL
출원인	,
출원번호	10-2015-7013738
출원일자	2015-05-26
공개번호	20150717
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	적어도 하나의 반도체 나노와이어(3)를 성장시키기 위한 방법에 있어서, 상기 성장시키기 위한 방법은, 기판(1) 상에 나노와이어(3)의 성장을 위한 결정핵생성 레이어(2)를 형성시키는 단계 및 나노와이어(3)를 성장시키는 단계를 포함한다. 결정핵생성 레이어(2)를 형성시키는 단계는, Ti, V, Cr, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta로부터 선택된 전이 금속(4)의 레이어를 기판(1) 상에 증착시키는 단계와, 나노와이어(3)를 성장시키기 위한 표면을 가진 전이 금속 니트라이드 레이어를 형성하기 위하여, 전이 금속 레이어의 적어도 일부(2)를 니트라이드 반응시키는 단계를 포함한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020157013738
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