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내장된 다이나믹 랜덤 액세스 메모리(EDRAM)를 위한 낮은 누설 비평면 액세스 트랜지스터

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기관명	NDSL
출원인	인텔 코포레이션
출원번호	10-2016-7005065
출원일자	2016-02-25
공개번호	20160603
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	내장된 다이나믹 랜덤 액세스 메모리(eDRAM)를 위한 낮은 누설 비평면 액세스 트랜지스터들, 및 eDRAM을 위한 낮은 누설 비평면 액세스 트랜지스터들을 제조하는 방법들이 기술된다.예를 들어, 반도체 디바이스는 기판 위에 배치되고, 2개의 넓은 핀 영역들 사이에 배치된 좁은 핀 영역을 포함하는 반도체 핀을 포함한다.게이트 전극 스택은 반도체 핀의 좁은 핀 영역과 등각으로 배치되고, 게이트 전극 스택은 게이트 유전체층 상에 배치된 게이트 전극을 포함한다.게이트 유전체층은 하부층과 상부층을 포함하고, 하부층은 반도체 핀의 산화물로 구성된다.한 쌍의 소스/드레인 영역들이 포함되며, 이 소스/드레인 영역들 각각은 넓은 핀 영역들 중 대응하는 영역에 배치된다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167005065
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