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특허/실용신안

β-Ga₂O₃계 단결정의 성장 방법

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 ,
출원번호 10-2019-7020197
출원일자 2019-07-11
공개번호 20190725
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 쌍정화를 효과적으로 억제할 수 있는 β-Ga 2 O 3 계 단결정의 성장 방법을 제공한다.일 실시 형태에 있어서, EFG법을 이용한 β-Ga 2 O 3 계 단결정(25)의 성장 방법이며, 종결정(20)을 Ga 2 O 3 계 융액(12)에 접촉시키는 공정과, 종결정(20)을 끌어올려, 네킹 공정을 행하지 않고 β-Ga 2 O 3 계 단결정(25)을 성장시키는 공정을 포함하고, 모든 방향에 있어서 β-Ga 2 O 3 계 단결정(25)의 폭이 종결정(20)의 폭의 110% 이하인, β-Ga 2 O 3 계 단결정(25)의 성장 방법을 제공한다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020197020197
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE C30B-029/16,C30B-015/34,C30B-015/36
주제어 (키워드)