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특허/실용신안

개선된 화학물질을 이용한 포토레지스트 제거 방법 및 장치

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 텔 넥스 인코포레이티드
출원번호 10-2016-7006821
출원일자 2016-03-15
공개번호 20160422
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 여기에서 설명하는 기술은 고농도의 독성 화학물질을 사용하지 않고 용액을 빈번하게 교체할 필요도 없이 기판으로부터 레지스트를 벗기는 방법 및 장치를 포함한다. 이 기술은 레지스트를 실질적으로 용해하지 않고, 제거되는 레지스트를 기계적 교반 및 높은 유체 흐름을 이용하여 작은 입자로 기계적으로 분쇄하는 것과 결부되어 레지스트를 부풀리는 화학물질을 이용한다. 레지스트 입자는 그 다음에 고속 순환에 의해 웨이퍼의 부근으로부터 처리 탱크 밖으로 제거될 수 있다. 순환 흐름은 그 다음에 순환 유체로부터 레지스트 입자들을 제거하기 위해 필터링되고 처리 탱크로 재도입될 수 있다. 필터링 시스템은 또한 순환 중에 또는 순환을 정지하고 필터로부터 입자들을 제거할 수 있다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167006821
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE G03F-007/42,C11D-011/00,C11D-007/32,G02F-001/13,H01L-021/311
주제어 (키워드)