실리콘 단결정 기판의 결함 농도 평가 방법
기관명 | NDSL |
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출원인 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 |
출원번호 | 10-2016-7014761 |
출원일자 | 2016-06-02 |
공개번호 | 20160818 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 본 발명은, 입자선의 조사에 의해 실리콘 단결정 기판 중에 생성된 결함 농도를 평가하는 방법으로서, 상기 실리콘 단결정 기판의 저항률을 측정한 후, 이 실리콘 단결정 기판에 상기 입자선을 조사하고, 이 조사 후, 상기 실리콘 단결정 기판의 저항률을 재차 측정하고, 상기 입자선의 조사 전후의 저항률의 측정 결과로부터, 조사 전후에 있어서의 실리콘 단결정 기판 중의 캐리어 농도를 각각 구하여 캐리어 농도의 변화율을 산출하고, 이 캐리어 농도의 변화율로부터, 상기 입자선의 조사에 의해 상기 실리콘 단결정 기판 중에 생성되고, 실리콘 원자 공공(空孔)으로 이루어진 VV 결함의 농도를 평가하는 실리콘 단결정 기판의 결함 농도 평가 방법을 제공한다.이에 따라, 입자선의 조사에 의해 실리콘 단결정 기판 중에 생성된 VV 결함의 농도를 간이하게 평가할 수 있는 방법이 제공된다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167014761 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | H01L-021/66,G01N-027/04,H01L-021/02,H01L-021/28 |
주제어 (키워드) |