이온 주입을 사용한 태양 전지 이미터 영역 제조
기관명 | NDSL |
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출원인 | 선파워 코포레이션 |
출원번호 | 10-2016-7014749 |
출원일자 | 2016-06-02 |
공개번호 | 20160818 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 이온 주입을 사용하여 태양 전지 이미터 영역을 제조하는 방법, 및 생성되는 태양 전지가 기술된다.일례에서, 태양 전지의 교번하는 N형 및 P형 이미터 영역들의 제조 방법은 기판 위에 규소 층을 형성하는 단계를 포함한다.규소 층의 제1 주입 영역들을 형성하고 비-주입 영역들을 생성하도록, 규소 층 내에 제1 전도성 유형의 도펀트 불순물 원자들이 제1 섀도 마스크를 통해 주입된다.규소 층의 제2 주입 영역들을 형성하고 나머지 비-주입 영역들을 생성하도록, 규소 층의 비-주입 영역들의 일부분들 내에 제2 반대 전도성 유형의 도펀트 불순물 원자들이 제2 섀도 마스크를 통해 주입된다.규소 층의 나머지 비-주입 영역들은 선택적 에칭 공정으로 제거되는 반면, 규소 층의 제1 및 제2 주입 영역들은 어닐링되어, 도핑된 다결정 규소 이미터 영역들을 형성한다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167014749 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | H01L-031/068,H01L-031/0236,H01L-031/0392,H01L-031/18 |
주제어 (키워드) |