반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
기관명 | NDSL |
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출원인 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
출원번호 | 10-2016-7016729 |
출원일자 | 2016-06-22 |
공개번호 | 20160630 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 산화물 반도체를 이용한 반도체 장치에 안정된 전기적 특성을 부여하여, 고신뢰성화하는 것을 목적의 하나로 한다.산화물 반도체막을 갖는 보텀 게이트 구조의 트랜지스터의 제작 공정에 있어서, 열처리에 의한 탈수화 또는 탈수소화 처리, 및 산소도핑 처리를 실시한다.열처리에 의한 탈수화 또는 탈수소화 처리 및 산소도핑 처리된 산화물 반도체막을 갖는 트랜지스터는, 바이어스-열스트레스 시험(BT시험) 전후에 있어서도 트랜지스터의 스레숄드 전압의 변화량이 저감되어 있어서, 신뢰성이 높은 트랜지스터로 할 수 있다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167016729 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | H01L-029/66,H01L-021/02,H01L-021/265,H01L-021/324,H01L-029/417,H01L-029/45,H01L-029/49,H01L-029/786 |
주제어 (키워드) |