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특허/실용신안
물리기상증착법으로 제조된 P형 실리콘 박막에 전자빔 조사를 통한 대면적 결정화 공정을 포함하는 태양전지의 제조방법 및 이에 따른 태양전지
특허 실용신안 개요
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 출원인 | 한국생산기술연구원 |
| 출원번호 | 10-2012-0119310 |
| 출원일자 | 2012-10-25 |
| 공개번호 | 20140227 |
| 공개일자 | 2014-02-26 |
| 등록번호 | 10-1366745-0000 |
| 등록일자 | 2014-02-18 |
| 권리구분 | KPTN |
| 초록 | 본 발명은 높은 결정화 분율, 큰 결정립 크기를 가지고 가능한 짧은 시간 안에 대면적 다결정 실리콘 박막을 제조하는 물리기상증착법으로 제조된 P형 실리콘 박막에 전자빔 조사를 통한 대면적 결정화 공정을 포함하는 태양전지의 제조방법 및 이에 따른 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따른 물리기상증착법으로 제조된 P형 실리콘 박막에 전자빔 조사를 통한 대면적 결정화 공정을 포함하는 태양전지의 제조방법은 기판을 준비하는 기판 준비 단계; 상기 기판 위에 물리 기상 증착법으로 제1 비정질 실리콘층을 증착하는 제1 비정질 실리콘층 증착 단계; 상기 제1 비정질 실리콘층에 전자 빔을 조사하여 결정화시켜 제1 다결정 실리콘층을 형성하는 제1 다결정 실리콘층 형성 단계; 상기 제1 다결정 실리콘층 위에 물리 기상 증착법으로 제2 비정질 실리콘층을 증착하는 제2 비정질 실리콘층 증착 단계; 및 상기 제2 비정질 실리콘층에 전자 빔을 조사하여 결정화시켜 제2 다결정 실리콘층을 형성하는 제2 다결정 실리콘층 형성 단계를 포함하되, 상기 전자 빔은 상기 제1 및 제2 비정질 실리콘층 위에서 일정 구간 왕복운동하는 리니어 스캔 방식으로 조사하여 이루어진다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020120119310 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| IPC분류체계CODE | H01L-031/042,H01L-031/18,C23C-014/46 |
| 주제어 (키워드) |