| 초록 |
트랜지스터 핀 엘리먼트들(예를 들어, 핀 또는 트라이 게이트)은 치수 스컬프팅(dimensional sculpting)의 목적을 위해 RF(radio frequency) 플라즈마 및/또는 열 처리에 의해 수정될 수 있다.에칭된, 얇은 핀들은, 더 넓은 단결정 핀들을 먼저 형성하고, 더 넓은 핀들 사이에 트렌치 산화물을 퇴적한 이후, 활성 채널 재료를 에피택셜 성장시키기 위해 손상되지 않은 상단 및 측벽들을 갖는 더 좁은 단결정 핀들을 형성하기 위한 제2 에칭을 이용하여 더 넓은 핀들을 에칭하는 것에 의해 형성될 수 있다.이러한 제2 에칭은 더 넓은 핀들의 1 nm 내지 15 nm 두께의 상단 표면들 및 측벽들을 제거할 수 있다.이것은 (1) 저 이온 에너지 플라즈마 처리를 이용하는 염소 또는 불소계 화학물질이나, 또는 (2) 활성 이온 충돌, 산화를 통해 또는 제2 재료의 에피택셜 성장 품질에 지장을 줄 수 있는 에칭 잔류물을 뒤에 남겨둠으로써 핀들에 손상을 주지 않는 저온 열처리를 이용하여 두께를 제거할 수 있다. |
