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특허/실용신안
금속 실리사이드 배선 나노와이어 구조를 형성하기 위한 방법들
특허 실용신안 개요
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 출원인 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 |
| 출원번호 | 10-2017-7013701 |
| 출원일자 | 2017-05-19 |
| 공개번호 | 20170706 |
| 공개일자 | 0000-00-00 |
| 등록번호 | |
| 등록일자 | 0000-00-00 |
| 권리구분 | KUPA |
| 초록 | 반도체 애플리케이션들을 위한 백-엔드 배선 구조들을 위한 나노와이어들로서 금속 실리사이드를 형성하기 위한 방법들 및 장치가 제공된다.일 실시예에서, 방법은, 화학 기상 증착 프로세스 또는 물리 기상 증착 프로세스에 의해 기판 상에 금속 실리사이드 층을 형성하는 단계, 프로세싱 챔버에서 금속 실리사이드 층을 열 처리하는 단계, 금속 실리사이드 층을 열 처리하는 동안에, 프로세싱 챔버에 마이크로파 전력을 인가하는 단계; 및 금속 실리사이드 층을 열 처리하는 동안에, 섭씨 400 도 미만의 기판 온도를 유지하는 단계를 포함한다.다른 실시예에서, 방법은, 기판의 표면 상에 적어도 금속 함유 전구체 및 반응 가스를 포함하는 증착 가스 혼합물을 공급하는 단계, 마이크로파 전력에 대한 노출에 의해 증착 가스 혼합물의 존재 시에 플라즈마를 형성하는 단계, 광 복사에 플라즈마를 노출시키는 단계, 및 증착 가스로부터 기판 상에 금속 실리사이드 층을 형성하는 단계를 포함한다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020177013701 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| IPC분류체계CODE | H01L-021/3205,C23C-016/42,C23C-016/56,H01J-037/32,H01L-021/268,H01L-021/285,H01L-021/324,H01L-021/76 |
| 주제어 (키워드) |