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산화물 반도체 박막 및 박막 트랜지스터

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기관명	NDSL
출원인	스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤
출원번호	10-2016-7003601
출원일자	2016-02-12
공개번호	20160404
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 발명은 비정질 상태에 있어서는 에칭성이 우수하고, 또한 결정질 상태에서는 낮은 캐리어 농도 및 높은 캐리어 이동도를 갖고, 박막 트랜지스터의 채널층 재료로서 적합한, 빅스바이트형 구조의 In 2 O 3 상만을 포함하는 결정질의 산화물 반도체 박막을 제공하는 것이다.본 발명에서는, 인듐, 갈륨, 산소 및 불가피 불순물을 포함하고, 상기 갈륨의 함유량이 Ga/(In+Ga) 원자수비로 0.09 내지 0.45의 범위에 있고, 빅스바이트형 구조의 In 2 O 3 상을 주된 결정상으로 하고, 그 중에 β-Ga 2 O 3 형 구조의 GaInO 3 상, 또는 β-Ga 2 O 3 형 구조의 GaInO 3 상 및 (Ga,In) 2 O 3 상이 미세하게 분산되어 있는 산화물 소결체를 타깃으로 하여, 비정질의 산화물 박막을 성막하고, 이 비정질의 산화물 박막을 포토리소그래피 기술을 이용하여 에칭함으로써 미세 가공하고, 어닐 처리한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167003601
첨부파일

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